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化学——选修3:物质结构与性质](15分)硅是重要的半导体材料构成了现代电子工业的基础。回答下列问
作者:亚博国际app下载 时间:2020-02-18 03:10
  

  [化学——选修3:物质组织与本质](15分)硅是苛重的半导体原料■,组成了摩登电子工业的基本。答复下列问▲○?

  [化学”——选修:3:物质组织!与:本质▼●;](15分)硅是苛重的半导体原?料,组成了摩登电子工业的基本。答复•?下列问▷•!

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  [化、学——选修3▼:物质组织与本质](15分)硅是苛重的半导体原料◁▲,组成了摩登电子工业的基本■。答复下列”题目▷:(1)基-!态Si!原子中,电子霸占、的=,最、高能、层符号为____ ,该能层拥有的原子轨道数为____ 、电子数为 。(2)硅紧要以硅酸盐、____ 等化合物的表面存正在于地壳中。(3)单◆:质硅存正在与金;刚石组织相像的晶体,个中国子与▲、原子”之间以 相维;系,其晶“胞中共▲;有8个原子▼▪,个中正在面心位子功劳____ 个原子◆。(4)●:单质硅可通过甲硅烷:(SiH 4 )领会反映来造备▪。工业上采用Mg 2 Si和NH 4 C▲、1正在液氨介质中反映造得SiH 4 ,该反=◇,映的化学方程式为,___ 。(5)碳和硅的▪◇、相合化学键键!能如下所示•,扼要剖释和证明下列相?合到底: ①硅与碳?本家,也有系列氢化、物,但硅烷正在品种“和数目上都远不如烷烃多●,来因是 ○。②SiH 4 的褂讪-“性幼…▽,于CH 4 ●•,更易天生氧化“物◇△,来因是=、____ ▲。(6)、正在硅酸盐☆!中•=,SiO 4 4 - 四面体(如下图(a))通过共用顶角氧离子可造成岛:状、链状、层状、骨架网?状四“大类:组织型式。图(b)为…!一:种无尽长单链组织的多硅酸根,个中Si原子的杂化表面为▷“ =。Si与O的原子数之比为 。

  (5)①C—C键和C—H键较强,所造成的烷烃褂!讪-=。而硅烷中Si—Si键和Si—H键的键能较低▽,易断裂。导致长链硅烷难造成▽•。

  ②C—-▽:H键的键能!大于C—O键,C—H“键比C—O键褂讪☆○。而,Si☆,—H键的键能远幼于Si—O”键▽,以是Si—H键不褂讪而方向于造成褂讪性更强的Si—O键。

  试:题剖释:⑴按照硅的原子序数为14,其基态原子的电子排布式为1s22s22p63s23p2-,则电子霸占!的最高能层符号为M(第三层)•,该能层拥有的原子轨道数为9,电子!数为4•。

  ⑶、单质硅属于原“子晶体,个中国子与原子之间以共价键相维系,其晶胞中共有8个“原子◆○,有6个位于面心,故正在面心位子功劳3个原子◇•。

  ⑷Mg2Si和NH4C1反映造备SiH4,据原子守恒天生物尚有NH3和MgCl2,结尾按照观测法将其配。平△▲。

  ⑸①因●:为非金属性C>Si,又据表中C-C键和C-H键的键能比Si-Si 、Si-H的键能大•,故造成的?烷烃比!硅烷褂讪◇▼,同时!也导致长链硅烷难以;天生,故硅◆,烷正在品种和数目上都远,不如烷、烃多。

  ②因为C-H键的键▷◁?能大于C-O键■•,评释C-H键“比C-O键褂讪,而Si-H键的键能却远幼于Si-O键,以是Si-H键不褂讪更方向于天生更褂讪的Si•■、-O键□,故SiH4的褂”讪性幼于CH!亚博国际app下载4=,更易天▽、生氧化、物。